一、高純氬氣的簡(jiǎn)介

　　氬作為制造單晶和多晶硅的保護(hù)氣體，如何選擇高純氬氣來提高硅晶體的質(zhì)量，是制造硅晶體的問題。通過該高純氬氣裝置的使用，在氬的純度中氧氣含量低于1ppm，水分也低于1ppm時(shí)，制造出來的單晶硅的氧碳含量低于0.5ppm，可以提高單晶的使用壽命，滿足要求，從而獲得客戶滿意和市場(chǎng)需求。

　　因?yàn)橐话愕囊后w氬在汽化后沒有提純，所以它的氧氣含量一般為2ppm~5ppm。煤氣供應(yīng)商提供的钚有時(shí)超出這個(gè)范圍，使用钚的客戶不知道其質(zhì)量，因此經(jīng)常影響產(chǎn)品的質(zhì)量。使用氬精煉裝置后，不管氬原料氣體的質(zhì)量如何，處理精制裝置后進(jìn)入拉結(jié)晶爐的氬，純度總是恒定的。

　　一般氧氣含量低于0.5ppm，水分低于1ppm，因此穩(wěn)定的氬保證了晶體生產(chǎn)的質(zhì)量。

　　二、高純氬氣的精制方法

　　第一個(gè)：直接脫產(chǎn)法。使用活性金屬與氬中的氧氣反應(yīng)，消化氬中的氧氣，以達(dá)到脫氧目的，通過分子篩吸收氬中的水分，使氬含量低于1ppm。

　　第二種：是使用吸入劑。在一定溫度下，吸入劑吸收氮、氫、氧、一 氧化碳、二氧化碳、甲烷等氣體進(jìn)行處理后，氬的純度可以達(dá)到6個(gè)、9個(gè)，這種保護(hù)氣體更適合制造高純度半導(dǎo)體的單晶硅。

　　吸氣劑精制后使用氬純度：

　　第一種方法是設(shè)備投資少，設(shè)備中脫氧劑的壽命一般大于4年。

　　第二種方法是設(shè)備的純化純度高，但投資比較大，吸入劑的壽命為2年。

　　本公司還可以根據(jù)客戶的要求直接高壓，這樣就不必使用成型機(jī)增壓工藝了。

　　另外，根據(jù)客戶要求，分析儀在線時(shí)可以檢測(cè)設(shè)備的氣體純度。

　　三、高純氬氣的應(yīng)用

　　高純氬用于焊接、不銹鋼制造和冶煉，半導(dǎo)體制造過程中化學(xué)氣相沉積、晶體生長(zhǎng)、熱氧化、外延、擴(kuò)散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結(jié)等氬用作生產(chǎn)單晶硅和多晶硅的保護(hù)氣體。

　　主要用途：新老用戶為本公司產(chǎn)品：氬凈化器、氬凈化器、高純氬凈化設(shè)備、YAC系列氬凈化設(shè)備、全自動(dòng)氬凈化設(shè)備、大型氬凈化設(shè)備、硅材料產(chǎn)業(yè)氬凈化設(shè)備、硅材料氣站。